Samsung MZ-V9P1T0 M.2 1 TB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe
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- Kapazität: 1TB (entspricht ca. 931.32GiB bzw. 0.91TiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
- Lesen: 7450MB/s
- Schreiben: 6900MB/s SLC-Cached
- IOPS 4K: 1200k lesend, 1550k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Samsung, 176 Layer (V-NAND v7)
- TBW: 600TB
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller: Samsung Pascal
- Cache: 1GB (LPDDR4), SLC-Cache
- Protokoll: NVMe 2.0
- Datenschutzfunktionen: 256bit AES, TCG Opal 2.0
- Abmessungen: 80x24.3x8.2mm (mit Kühlkörper)
- M.2-Kühlkörper, L1.2 Low-Power-Standby, LED-Beleuchtung (RGB)
weitere Informationen
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Beschreibung
Samsung MZ-V9P1T0 M.2 1 TB PCI Express 4.0 V-NAND MLC NVMe
Samsung SSD 990 PRO, 1TB MZ-V9P1T0GW NVMe M.2 Heatsink
Eigenschaften:
- Kapazität: 1 TB
- Formfaktor: M.2 (2280)
- Konnektivität: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe
- Sequenzielle Lesegeschwindigkeit: 7.450 MB/s
- Sequenzielle Schreibgeschwindigkeit: 6.900 MB/s
- Zufällige Lesegeschwindigkeit: 1.200.000 IOPS
- Zufällige Schreibgeschwindigkeit: 1.550.000 IOPS
- Storage-Speicher: Samsung V-NAND 3-bit MLC
- Controller: Samsung in-house Controller
- Gerätemaße (B x H x T): 80 x 24,3 x 8,2 mm (mit Heatsink)
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Datenblatt
| Produkt-Features Festplatten | |
| Feature2: | nand-tlc | Bauart |
| Speicherart: | SSD |
| Formfaktor: | M.2 |
| Schnittstelle: | PCIe 4.0 x4 | Ausstattung |
| Speicherkapazität (GB): | 1000 |
| NAND-Typ: | 3D TLC | Leistung |
| Sequenzielle Lesegeschwindigkeit (MB/s): | 7450 |
| Sequenzielle Schreibgeschwindigkeit (MB/s): | 6900 |
| Random Lesegeschwindigkeit (IOPS): | 1200000 |
| Random Schreibgeschwindigkeit (IOPS): | 1550000 | Allgemein |
| Breite (mm): | 22 |
| Höhe (mm): | 80 |
| Tiefe (mm): | 8,2 | Hinweis: Die Beschreibung und das Datenblatt werden von DexxIT zur Verfügung gestellt. Für die Richtigkeit und Vollständigkeit der aufgeführten Daten wird keine Haftung übernommen. |
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