Filter
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 3200MHz
- Module: 1x 8GB
- JEDEC: PC4-25600S
- Ranks/Bänke: single rank, x8
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD, Samsung A-Die
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 2400MHz
- Module: 2x 16GB
- JEDEC: PC4-19200S
- Ranks/Bänke: dual rank, x8
- CAS Latency CL: 17 (entspricht 14.17ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 17 (entspricht 14.17ns)
- Row Precharge Time tRP: 17 (entspricht 14.17ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 2666MHz
- Module: 1x 8GB
- JEDEC: PC4-21300S
- CAS Latency CL: 18 (entspricht 13.50ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 19 (entspricht 14.25ns)
- Row Precharge Time tRP: 19 (entspricht 14.25ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 39 (entspricht 29.26ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Ranks/Bänke: dual rank, x8
- Module: 1x 16GB
- JEDEC: PC4-19200S
- CAS Latency CL: 17 (entspricht 14.17ns)
- Spannung: 1.20V
- Modulhöhe: 30mm
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 3200MHz
- Module: 1x 16GB
- JEDEC: PC4-25600S
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Intel XMP 2.0
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 3200MHz
- Module: 2x 16GB
- JEDEC: PC4-25600S
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Intel XMP 2.0
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 3200MHz
- Module: 1x 32GB
- JEDEC: PC4-25600S
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 52 (entspricht 32.50ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 3200MHz
- Module: 1x 16GB
- JEDEC: PC4-25600S
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 52 (entspricht 32.50ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 3200MHz
- Module: 2x 32GB
- JEDEC: PC4-25600S
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Intel XMP 2.0
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 2666MHz
- Module: 1x 16GB
- JEDEC: PC4-21300S
- Ranks/Bänke: single rank, x8
- CAS Latency CL: 16 (entspricht 12.00ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 18 (entspricht 13.50ns)
- Row Precharge Time tRP: 18 (entspricht 13.50ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Intel XMP 2.0
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 3200MHz
- Module: 1x 8GB
- JEDEC: PC4-25600S
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 52 (entspricht 32.50ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 2666MHz
- Module: 1x 8GB
- JEDEC: PC4-21300S
- Ranks/Bänke: single rank, x8
- CAS Latency CL: 19 (entspricht 14.25ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 19 (entspricht 14.25ns)
- Row Precharge Time tRP: 19 (entspricht 14.25ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 3200MHz
- Module: 1x 8GB
- JEDEC: PC4-25600S
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin, ECC
- Takt: 2666MHz
- Module: 1x 32GB
- JEDEC: PC4-21300S
- Ranks/Bänke: dual rank, x8
- CAS Latency CL: 19 (entspricht 14.25ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 19 (entspricht 14.25ns)
- Row Precharge Time tRP: 19 (entspricht 14.25ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD, Micron F-Die
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin, ECC
- Takt: 3200MHz
- Module: 1x 32GB
- JEDEC: PC4-25600S
- Ranks/Bänke: dual rank, x8
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD, SK hynix C-Die
weitere Informationen
bei Bestellung Versand heute, den 29.05
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 2933MHz
- Module: 2x 32GB
- JEDEC: PC4-23466S
- CAS Latency CL: 21 (entspricht 14.32ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 21 (entspricht 14.32ns)
- Row Precharge Time tRP: 21 (entspricht 14.32ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 47 (entspricht 32.05ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 3200MHz
- Module: 1x 16GB
- JEDEC: PC4-25600S
- Ranks/Bänke: dual rank, x8
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD, Samsung A-Die
weitere Informationen
Fujitsu 8GB DDR4-2133. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 8 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 8 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 2133 MHz, Memory Formfaktor: 260-pin SO-DIMM
DELL A9654877. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 16 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 2400 MHz, Produktfarbe: Schwarz, Grün
Fujitsu S26391-F2240-L800. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 8 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 8 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 2400 MHz, Memory Formfaktor: 260-pin SO-DIMM
SO-DIMM DDR4 (Small Outline Dual Inline Memory Module DDR4) ist eine spezielle Form des DDR4-Arbeitsspeichers, der hauptsächlich in Laptops, Mini-PCs und anderen kompakten Geräten verwendet wird. Hier ist eine kurze Beschreibung von SO-DIMM DDR4:
Kompakte Bauweise: SO-DIMM DDR4-Module sind kleiner als die Standard-DIMMs und passen daher in die SO-DIMM-Steckplätze von Laptop-Motherboards und anderen kleinen Geräten. Sie haben eine geringere physische Größe, behalten jedoch die gleiche Technologie und Leistungsfähigkeit wie reguläre DDR4-Module bei.
Hohe Geschwindigkeit und Effizienz: SO-DIMM DDR4 bietet eine hohe Übertragungsgeschwindigkeit und Effizienz, was zu einer verbesserten Leistung des Systems führt. Es ermöglicht schnellere Datenübertragungen und bessere Multitasking-Fähigkeiten.
Erhöhte Kapazität: DDR4-Module haben im Vergleich zu früheren Generationen eine höhere Kapazität. SO-DIMM DDR4-Module können in verschiedenen Kapazitäten wie 4 GB, 8 GB, 16 GB usw. erhältlich sein, je nach den Anforderungen des Systems.
Niedriger Stromverbrauch: DDR4-Module sind energieeffizienter als ihre Vorgänger. Sie arbeiten mit niedrigeren Spannungen und helfen somit, den Stromverbrauch des Systems zu reduzieren und die Batterielaufzeit in mobilen Geräten zu verlängern.
Kompatibilität: SO-DIMM DDR4 ist in der Regel abwärtskompatibel, d. h. es kann in Motherboards verwendet werden, die auch DDR3- oder älteren Arbeitsspeicher unterstützen. Es ist jedoch wichtig sicherzustellen, dass das Motherboard und das System die Verwendung von DDR4-SO-DIMM unterstützen.
SO-DIMM DDR4 wird für seine Kombination aus hoher Leistung, Energieeffizienz und kompakter Bauweise geschätzt. Es ermöglicht die Aufrüstung des Arbeitsspeichers in Laptops und anderen kleinen Geräten, um die Systemleistung zu verbessern und reibungsloses Multitasking sowie das Ausführen anspruchsvoller Anwendungen zu ermöglichen.