DDR4RAM 8GB DDR4-2666 Samsung ECC, CL19-19-19
- Typ: DDR4 DIMM 288-Pin, ECC
- Takt: 2666MHz
- Module: 1x 8GB
- JEDEC: PC4-21300E
- Ranks/Bänke: single rank, x8
- CAS Latency CL: 19 (entspricht 14.25ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 19 (entspricht 14.25ns)
- Row Precharge Time tRP: 19 (entspricht 14.25ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 31.25mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
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